Willian Ferreira 
O Samsung Memory Tech Day 2023 acontecerá em breve e a fabricante vai revelar os chips de DRAM e VRAM de nova geração no evento. Segundo o CEO da divisão de memória da sul-coreana, Jung-Bae Lee, a empresa levou os módulos a “níveis extremos” e irá exibir chips até 1 TB — que permitirá SSDs com armazenamento de até 1 petabyte (PB).
Samsung vai lançar chips flash NAND de 1 TB
Lee confirmou ao portal KED Global que a Samsung está procurando formas de implementar chips DRAM com até 1 TB de capacidade. Essa capacidade é o dobro dos 512 GB apresentado pela fabricante em 2021.
Com esse novo chip a Samsung poderá desenvolver SSDs com um capacidade de até 1 PB, ou 1.024 terabytes (TB) / 1 milhão gigabytes (GB).
O SamMobile destaca que fabricante já havia revelado na China Flash Memory Market Summit que está estudando o lançamento de SSDs de 1 PB. Agora o CEO da Samsung detalha que isso será possível pois a “DRAM de 11 nm está em desenvolvimento e vai apresentar o nível de densidade de memória mais alto já visto pela indústria”.
Lee detalha que esses chips poderão ser “implementados em uma estrutura de pilha dupla.” Significando que será necessário implementar menos chips de memória para alcançar a mesma quantidade de armazenamento.
Vale a pena destacar que mesmo após ser revelada pela Samsung, essa nova tecnologia ainda vai demorar para ser lançada. O Samsung Memory Tech Day 2023 começará no dia 20 de outubro.
IA está gerando uma demanda para memórias mais rápidas
Em sua entrevista ao KED Global, Lee também destacou que as inteligência artificiais estão criando uma demanda para memórias ainda mais rápidas e eficientes. Por isso na futura “era de DRAM abaixo de 10 nm e V-NAND de 1.000 camadas, a inovação em novas estruturas e materiais será crucial”.
Fonte: KED Global Via: Adrenaline, SamMobile
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